Комплектующие

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

4 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T, тайминги 11-11-11, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38, напряжение 1.35 В

128 ГБ, 4 модуля DDR4 DIMM по 32 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 4 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 2666 МГц, CL 17T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 SO-DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22-52, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 5600 МГц, CL 40T, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-20-20, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39, напряжение 1.4 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 8 ГБ, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22, напряжение 1.35 В

mATX, сокет Intel LGA1700, чипсет Intel H610, память 2xDDR4 до 3200 МГц, слоты: 1xPCIe x16 4.0, 1xPCIe x1, 1xM.2

ATX, сокет Intel LGA1700, чипсет Intel H770, память 4xDDR5 до 7200 МГц, слоты: 2xPCIe x16 5.0, 2xPCIe x1, 4xM.2, 802.11ax (Wi-Fi 6)+Bluetooth 5.2, 14+1+1 фаз питания

ATX, сокет Intel LGA1700, чипсет Intel Z790, память 4xDDR5 до 7200 МГц, слоты: 3xPCIe x16 5.0, 4xM.2, 802.11ax (Wi-Fi 6E)+Bluetooth 5.3, 16+1+2 фаз питания

Thin Mini-ITX, c процессором Intel Celeron J4005, память 2xDDR4 до 2400 МГц, слоты:, 1xM.2